专利名称：便于对一晶片的顶面与底面进行电性缺陷测试的封
装方法
专利类型：发明专利发明人：唐光辉,刘洪民申请号：CN02142092.0申请日：20020826公开号：CN1479357A公开日：20040303
摘要：一种便于对一晶片的顶面与底面进行电性缺陷测试的封装方法，首先提供一表面具有复数个接合垫的晶片，以一环氧化合物固定于一具有多个凸块焊垫的基底的一开口上方；先以一金线将各该接合垫与相对应的该凸块焊垫相连接，再将一密封物涂于该基底表面；接着进行一压模加热制程以固化该密封物，并进行一压盖制程，将一顶盖置于该密封物上方以覆盖该基底、该晶片与该金线，再进行一单块切割制程；本发明利用一粘着物将该顶盖覆盖于该基底、该晶片上方，因此当对该晶片进行电性缺陷分析时，可轻易将该顶盖移除而不伤及该晶片的表面，此外除可对该晶片的上表面进行顶面测试，还可对该晶片的下表面进行底面测试，而确保该电性缺陷分析结果的可信度，进而大幅增进制程的品管效能。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：台湾省新竹市
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：陈红
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