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一种原位生长碳化硅纳米线增强多孔碳复合材料的制备方法[发明专利]

2024-05-28 来源:星星旅游
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种原位生长碳化硅纳米线增强多孔碳复合材料的

制备方法

专利类型:发明专利

发明人:沙建军,吕钊钊,李建,张兆甫,王首豪,邵俊琦申请号:CN201610653476.4申请日:20160810公开号:CN106278267A公开日:20170104

摘要:本发明提供一种原位生长碳化硅纳米线增强多孔碳复合材料的制备方法,属于航空航天飞行器热防护系统领域。向羟乙基纤维素分散剂中添加短碳纤维与酚醛树脂颗粒,搅拌得到均匀溶液,将溶液加入放有石膏块的容器中,吸水,形成短碳纤维夹杂酚醛树脂颗粒的块状体,烘干,固化,碳化,形成多孔碳复合材料胚体;硅粉置于容器中,在硅粉上加入多孔碳复合材料胚体,在真空或惰性气体条件下升温至1500℃保温30min,生成带有碳化硅纳米线的胚体;将胚体置于酚醛树脂溶液中抽真空浸渍,晾干,固化,碳化,得到碳化硅纳米线增强多孔碳复合材料。本发明解决了制备碳化硅纳米线增强多孔碳复合材料中碳化硅纳米线分散难的问题,推动了其广泛的应用前景。

申请人:大连理工大学

地址:116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

国籍:CN

代理机构:大连理工大学专利中心

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