专利名称：二氧化硅包覆二氧化钛中空核壳结构材料的制备方
法
专利类型：发明专利发明人：只金芳,吴良专申请号：CN201010531523.0申请日：20101029公开号：CN102463105A公开日：20120523
摘要：本发明涉及一种具有中空结构的二氧化硅壳层包覆二氧化钛核材料的制备方法。本发明对壳层材料采用醇溶性前驱体，对核材料采用水溶性过氧化钛前驱体，然后在醇水体系里通过控制醇水比例及相关条件一步合成二氧化硅包覆二氧化钛中空核壳结构材料。本发明与传统采用分步合成制备方法相比较，本发明的方法流程简单，可操作性强，同时相对成本低廉，适用于批量制备，具备工业化生产的可能性，具有广泛的应用前景。
申请人：中国科学院理化技术研究所
地址：100190 北京市海淀区中关村北一条2号
国籍：CN
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：李柏
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