专利名称：晶体生产工艺专利类型：发明专利
发明人：陈翼,刘奇,黄末,刘林艳,高海棠申请号：CN202010948861.8申请日：20200910公开号：CN112210820A公开日：20210112
摘要：本发明公开了一种晶体生产工艺，包括以下步骤：S1、将初始原料装入坩埚组件内；S2、对坩埚组件进行加热以使初始原料熔化，并在设定时间后，坩埚组件以设定转速段内的转速转动；S3、在熔料完成后，将下料组件下降至坩埚组件内液面上方，且与液面上下相距h，下料组件包括原料下料管，原料下料管将再加入原料加至坩埚组件的原料下料区；S4、在原料下料区下料，在晶体生长区进行拉晶，在步骤S1中，将初始原料分别装入第一腔室、第二腔室和第三腔室内，第一腔室内的初始原料的颗粒直径大于第二腔室内的初始原料的颗粒直径和第三腔室内的初始原料的颗粒直径。根据本发明的晶体生产工艺，可以使得坩埚组件内熔汤更加均匀，有利于提升晶体品质。
申请人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
地址：221004 江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
国籍：CN
代理机构：北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：肖阳
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