专利名称：改善栅氧化层整合性参数的方法专利类型：发明专利发明人：杨林宏,牛健
申请号：CN200910045248.9申请日：20090113公开号：CN101777518A公开日：20100714
摘要：本发明提供了一种改善栅氧化层整合性参数的方法，包括制作半导体器件，在所述半导体器件表面生长氮氧化硅层和富硅氧化层，在所述富硅氧化层上生长介电层，在所述介电层上制作金属引线，本发明不仅能够保护器件不受后段制程的电离子损伤，还能使存储型器件与电容中的电荷被紫外光顺利擦除。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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