（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201310029868.X （22）申请日 2013.01.25
（71）申请人 中国科学院半导体研究所
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
（10）申请公布号 CN103095223A
（43）申请公布日 2013.05.08
（72）发明人 鲁华祥;景一欧;边昳
（74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司
代理人 曹玲柱
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
射频低噪声放大器
（57）摘要
本发明提供了射频低噪声放大器。该射频
低噪声放大器采用了电流复用的技术，使两组分别由NMOS和PMOS组成的差分对共享静态偏置电流，从而在维持晶体管同样的电压-电流转换能力的基础上节约了静态偏置电流，从而减小了功耗。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
法律状态公告日
2013-05-08 2013-06-12 2016-01-06
公开
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
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发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
射频低噪声放大器的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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