专利名称：MoS纳米片镶嵌在碳基底复合材料的制备方法及应
用
专利类型：发明专利发明人：于杰,韩美胜
申请号：CN201910019949.9申请日：20190109公开号：CN109904408A公开日：20190618
摘要：本发明公开MoS纳米片镶嵌在碳基底复合材料的制备方法及应用，属于新材料技术领域。采用溶于二甲基甲酰胺的四硫代钼酸铵溶液为反应前驱体，加入到自制的反应装置中密封后放到可通保护气体的加热炉中加热到适当温度使前驱体分解成气体产生高压，在高压作用下制备MoS/C纳米复合材料。此MoS/C纳米复合材料是由MoS纳米片均匀镶嵌在氮氧共掺杂碳基底上的微结构组成的，然后将MoS/C纳米复合材料作为锂离子和钠离子电池负极材料。本方法工艺简单﹑原材料丰富﹑成本低廉，采用本方案制备的MoS/C纳米复合材料作为锂离子和钠离子电池负极材料可以改善电池循环性能和倍率性能，宜于大规模推广，具有良好的应用前景。
申请人：哈尔滨工业大学(深圳)
地址：518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区
国籍：CN
代理机构：深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人：詹浩萍
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