（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201510662774.5 （22）申请日 2015.10.14
（71）申请人 上海华力微电子有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
（10）申请公布号 CN105304691A
（43）申请公布日 2016.02.03
（72）发明人 肖天金;邱裕明;温振平
（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 智云
（51）Int.CI
H01L29/423; H01L21/02;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
用于制备高K介质层的界面层的方法
（57）摘要
本发明提供了一种用于制备高K介质层的
界面层的方法，包括：第一步骤：提供半导体硅衬底；第二步骤：对半导体硅衬底使用酸槽进行高K介质层沉积之前的前清洗；第三步骤：将原位水汽生成和闪光灯退火组合或快速热氧化和闪光灯退火组合用于在半导体硅衬底上生长界面层；第四步骤：在界面层上沉积高K介质层；第
五步骤：在沉积高K介质层之后对半导体硅衬底执行高K后退火。
法律状态
法律状态公告日
2016-02-03 2016-02-03 2016-03-02 2016-03-02 2018-07-20
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
用于制备高K介质层的界面层的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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