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单芯片三轴各向异性磁阻传感器[实用新型专利]

2024-06-25 来源:星星旅游
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:单芯片三轴各向异性磁阻传感器专利类型:实用新型专利

发明人:闻永祥,范伟宏,王平,刘琛,季锋,邹光祎申请号:CN201420356614.9申请日:20140630公开号:CN203932117U公开日:20141105

摘要:本实用新型提供了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器,该传感器包括:基底,其表面位于X方向和Y方向确定的平面内,基底的表面具有内凹的沟槽;磁通量集中器,位于沟槽的侧壁上;第一介质层,填充沟槽并覆盖磁通量集中器以及基底的表面;位于第一介质层上的第一磁传感器,检测方向为该X方向;位于第一介质层上的第二磁传感器,检测方向为该Y方向;位于第一介质层上的第三磁传感器,检测方向落入X方向和Y方向确定的平面内;其中,第三磁传感器和磁通量集中器共同形成了检测方向为Z方向的Z方向磁传感器。本实用新型的传感器结构简单,无需垂直封装,并且其制造方法和传统微电子工艺的匹配性好,适合大批量工业化生产。

申请人:杭州士兰集成电路有限公司

地址:310012 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号

国籍:CN

代理机构:上海专利商标事务所有限公司

代理人:张振军

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