专利名称：存储器及其形成方法专利类型：发明专利发明人：王楠
申请号：CN201810322016.2申请日：20180411公开号：CN110364530A公开日：20191022
摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法。由于存储器中的第一传输晶体管的饱和电流大于第二传输晶体管的饱和电流，并使第一传输晶体管对应存储器的写操作过程，以及第二传输晶体管对应存储器的读操作过程。如此一来，在存储器的写操作过程中，由于第一传输晶体管具备较大的饱和电流，从而可有效改善存储器的写入速度；以及，在存储器的读操作过程中，由于第二传输晶体管具备较小的饱和电流，从而有利于提高存储器的读取稳定性，以提高存储器的整体性能。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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