专利名称：各向异性导电膜和使用其的半导体装置专利类型：发明专利
发明人：申颍株,姜炅求,金智软,朴憬修,申遇汀,郑光珍,黄慈
英
申请号：CN201410521172.3申请日：20140930公开号：CN104513632A公开日：20150415
摘要：本发明公开了一种各向异性导电膜和一种使用所述各向异性导电膜的半导体装置。所述各向异性导电膜具有三层结构，包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，所述三层以此顺序依序堆叠。所述各向异性导电膜可通过调整所述各别层的流动性使得终端之间的空间可由所述绝缘层充分填充且可抑制导电粒子向所述空间中流出来防止终端之间短路并具有提高的连接可靠性。
申请人：三星SDI株式会社
地址：韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
国籍：KR
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人：臧建明
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