专利名称：多状态存储单元和存储数据状态及形成存储单元的
方法
专利类型：发明专利发明人：T·L·吉尔顿
申请号：CN200810173894.9申请日：20030205公开号：CN101414659A公开日：20090422
摘要：可编程多数据状态存储单元包括由第一导电材料形成的第一电极层、由第二导电材料形成的第二电极层、以及置于该第一和第二电极层之间的第一层金属掺杂硫族化物材料。该第一层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第一和第二电极层电耦合在一起。该存储单元还包括由第三导电材料形成的第三电极层，以及置于该第二和第三电极层之间的第二层金属掺杂硫族化物材料，该第二层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第二和第三电极层电耦合在一起。
申请人：微米技术有限公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：张志醒
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