STI沟槽填充方法

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN200510111130.3 （22）申请日 2005.12.05

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN100413049C

（43）申请公布日 2008.08.20

（72）发明人 汪钉崇

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 逯长明

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

STI沟槽填充方法

（57）摘要

本发明提供了一种STI沟槽填充方

法，包括步骤：将衬底置于反应室内，在衬底上形成沟槽；在反应室中利用包含溅射工艺的化学气相淀积工艺在沟槽中填充氧化硅，其中所使用的反应气体包括化学气相淀积工艺使用的氧气和硅烷，以及溅射工艺使用的氢气和氦气；继续向反应室中通入氧气，对所述氧气进行等离子处理，利用高密度氧气等离子体去除氧化硅中残留的硅微粒。本发明的STI沟槽氧化硅填充方法能够去除氧化硅填充膜中残留的硅微粒，从而提

高填充膜的质量。 法律状态

法律状态公告日

2007-06-13 2007-06-13 2007-08-08 2007-08-08 2008-08-20 2008-08-20 2011-12-14 2011-12-14 2019-11-22

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利权的终止

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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