绿色荧光粉Gd2Ba3B3O(12)：Tb(3+)的发光性能研究

第３１卷，第３期　光谱学与光谱分析　Ｖｏ１．３１，Ｎｏ．３，ｐｐ６１７—６２０　２　０　１　１年３月　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ａｎｄ　ＳｐｅｃｔｒａＩ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　Ｍａｒｃｈ，２０１１　绿色荧光粉Ｇｄ２Ｂａ３Ｂ３Ｏ１２：Ｔｂ３＋的发光性能研究　赵文玉　。，樊　彬　，李松波　。，张国斌。，戴亚堂　１．内蒙古科技大学化学与化工学院，内蒙古包头０１４０１０　２３００２９　２．北京科技大学冶金与生态工程学院，北京　１０００８３　３．中国科学技术大学国家同步辐射实验室，安徽合肥４．西南科技大学材料科学与工程学院，四川绵阳　６２１０００　摘要采用高温固相法制备了一系列ＧｄｚＢａ。　Ｏ　ｚ：Ｔｂ抖绿色荧光粉，借助Ｘ射线粉末衍射仪（ＸＲＤ）、　真空紫外光谱和荧光光谱仪（ＶＵ　ＵＶ）对样品的物相、发光性能进行了表征。结果表明，Ｔｂ件作为发光中　心全部进入到基质ＧｄｚＢａ。岛Ｏ　ｚ的品格中并占据Ｇｄ抖的位置。样品ＧｄｚＢａａ　Ｂ３Ｏ　ｚ：Ｔｂ抖的ＶＵｖ＿ＵＶ激发　光谱主要由１６０￣２００　ｎｍ和２００￣２５０　ｎｍ的宽峰以及２６０￣２８０　ｎｍ和３００￣３２０　ｉｌｍ的锐利峰组成。宽峰是　由于基质吸收和Ｔｂ抖的＿厂一ｄ的跃迁形成的，锐利峰是由于Ｔｂ　和Ｇｄａ　的　厂特征跃迁形成。样品　＿Ｇｄ　Ｂａ　Ｂ３Ｏ　２：Ｔｂ　的最强发射峰位于５４３　ｎｌＴＩ，对应于Ｔｂ”的　Ｄ４一　光粉应用于等离子体显示器（ＰＤＰ）领域。　关键词绿色荧光粉；ＶＵｖ＿ＵＶ；Ｇｄ２Ｂａ３　Ｏ１２：Ｔｂ　；ＰＤＰ　文献标识码：Ａ　跃迁。在１７２　ａｍ激发下，样品　Ｇｄ　。Ｔｂ０　ｓＢａ。　Ｏ　ｚ的发光强度最强，其色坐标为（Ｏ．３１３　６，０．４８４　３），衰减时间为２．９８　ｍｓ，可作为绿色荧　中图分类号：０４８２．３　ＢＯＩ：１０．３９６４／ｉ．ｉｓｓｎ．１０００—０５９３《２０１１）０３—０６１７—０４　射５４３　ｎｍ的绿光，自旋耦合对自旋禁戒的屏蔽，使之具有　引　言　近年来，随着人们对环境保护的日益重视，开发无汞光　较短的余晖时问和较高的猝灭浓度，即使掺杂量达到１００％，　其发光强度也不会降低，这就克服了上述Ｍｎ２　的缺点。在　基质的选择上，因为硼氧四面体基团在真空紫外波段均有较　强吸收，所以，硼酸盐具有良好的真空紫外光吸收能力。此　源已成为当前人们重要的研究方向之一。其中，利用稀有气　体氙气（Ｘｅ）放电辐射（１７２　ｒｉｍ）来激发荧光粉从而制造无光　光源引起了学者们的广泛关注　］。但是，如果想要提高对氙　气辐射能的利用率，就必须开发与之相适应的发光材料ｌ２］。　也就是说，发光材料必须具备对１７２　ｒｉｍ光有强的吸收性能，　且可以高效地将吸收的能量转化为可见光。当前，商用发光　材料以红色荧光粉Ｙｚ（）３：Ｅｕ３　，（Ｙ，Ｇｄ）Ｉ１０３：Ｅｕ　，绿色　荧光粉ｚ２Ｓｉ０４：Ｍｎ２　，ＢａＡ１　２（）ｌ。：Ｍｎ２　和蓝色荧光粉　ＢａＭｇＡＩ１０Ｏ１７：Ｅｕ抖为主。Ｚｎ２Ｓｉ０４：Ｍｎ２　和ＢａＡｌ１２　０１９：　外，硼酸盐还具有优良的发光性能、稳定的物理化学特性、　优良的耐真空紫外光辐射和抗离子轰击能力。然而，到目前　为止，关于绿色荧光粉Ｇｄ　Ｂａ。　Ｏ　Ｔｂ抖的详细报道较少。　基于以上分析，本实验主要致力于Ｔｂ抖掺杂Ｇｄ：Ｂａ。Ｂ｛Ｏ。　荧　光粉的制备和光谱性能研究，为研发新型绿色荧光粉提供了　可靠的实验数据。　１实验部分　１．１样品的制备　主要原料为分析纯级的ＢａＣＯ。和Ｈ。ＢＯａ以及９９．９９％　的Ｇｄｚ０３和Ｔｂ２　。　Ｍｎ　以Ｍｎ２　作为发光中心，由于Ｍｎｚ　的自旋禁戒的　Ｔｌ一　Ａｔ发射，其余辉时间过长，不利于动态画面的显示。虽然　其余辉时间可以随着Ｍｎ２　掺杂浓度的提高而缩短，但是，　其发光强度也会随之迅速降低。因此，开发新型绿色荧光粉　迫在眉睫。　在发光中心的选择上，Ｔｂ抖的特征跃迁　Ｄ　一　收稿日期：２０１０—０４—２６。修订日期：２０１０—０７—２１　按照一定摩尔比（Ｇｄ２　Ｔ　Ｂａ３　Ｂ｛Ｏ１２，．２７—０．０１～Ｏ．４０，　硼酸过量２０　ｍｏ１　）准确称取各原料，置于玛瑙研钵中充分　研磨，放人刚玉坩埚中在７００℃条件下预烧４　ｈ，然后自然冷　会发　基金项目：国家高技术研究发展计划（８６３计划）项目（２００７ＡＡｘｘｘ１３３）和内蒙古自治区自然科学基金项目（２００８０４０４ＭＳ０２０４）资助　作者简介：赵文玉，女，１９８０年生，内蒙古科技大学化学与化工学院讲师　＊通讯联系人　ｅ－ｍａｉｌ：ｆｂ８７２６＠１６３．ｃｏｒｎ　第３期　光谱学与光谱分析　６１９　研究Ｙ２Ｂａ。Ｂ３Ｏ　；Ｔｂ”时发现２７６和３１２　ｒｉｍ处没有出现相　应的激发峰。　与大多数三价稀土离子的发光原理相同，Ｔｂ抖的发射属　于４厂层内的＿厂～＿厂跃迂，但由于受５ｓ５ｐ的屏蔽，使其几乎　不受晶体场的影响。因此，在相同的基质中，不同掺杂量　Ｔｂ。　其发射峰的位置不变，仅是发光强度不问。图４为样品　Ｇｄ。Ｂａ３　Ｏ　：Ｔｂ抖的发射光谱，其激发波长为１７２，１８８，　２４３和２７６　ｎｍ。　ｇ　若　３００　４００　５００　６００　Ｗａｖｌｅｎｇｔｈ／ｎｍ　Ｆｉｇ．４　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓａｍｐｌｅ　ＧｄｚＢａ３Ｂ３Ｏｌ２：Ｔｂ３　ｐｈｏｓｐｈｏｒ（　＝１７２，１８８，２４３　ａｎｄ　２７６　ｒｉｍ）　由图４可见，样品Ｇｄ　Ｂａ。　Ｏ　ｚ：Ｔｂ　的发射峰由位于　３ｌ１，３７８，４１５和４３５　ｎｌＴｌ处的几个弱峰以及位于３ｌｌ，４８７，　５４３，５８２和６２０　ｒｉｍ处的几个较强峰组成，其中，以５４３　ｎｍ　发射峰为主。３ｎ　ｎｍ对应于Ｇｄ抖的特征发射跃迁　一　Ｓ　‰４８７，５４３，５８２和６２０　ｎｍ分别对应于Ｔｂ抖的特征发射　跃迁　ＤＩ一　，５Ｄ４一　，５　Ｄ４一　Ｆ１和　Ｄ４一　［　，　。一般　情况下，　Ｄ４一　Ｆ１，　的跃迂难以观察到。在Ｖｕｖ＿ｕＶ激　发下，一部分激发能量被基质吸收后通过共振传递给Ｔｂ”，　一部分激发能量则直接被Ｔｂ抖吸收。最后，这两部分传递到　Ｔｂ　的能量通过多声子弛豫到　Ｄ４能级，产生跃迁发射ｌ９ｊ。　另外，样品Ｇｄｌ－８５Ｔｂ０＇　１５Ｂａ３　Ｂ３Ｏ１２在１７２，１８８，２４３和２７６　ｎｍ　激发下的色坐标分别为（０．３１３　６，０．４８４　３），（０．３１０　５，　０．５１３　９），（０．３０４　１，０．５４４　Ｏ）和（０．３１３　６，０．５２３　５），说明样　品属于绿色发光粉。　２．３　Ｔｂ３　掺杂量对样品发光强度的影响　掺杂稀土离子（Ｔｂ”）的浓度是影响样品发光强度的重　要因素之一，所以需要对掺杂量进行优化。样品Ｇｄ。一　Ｔ　Ｂａ３　Ｏ　ｚ（　一０．０１～Ｏ．４０）发光强度与激活剂Ｔｂ　掺杂　量的关系如图５所示，激发波长为１７２　ｎｍ。　暑　‘童　童　０　０．１　０．２　０　３　０．４　Ｃｏｎｔｅｎｔ　ｏｆ　Ｔｂ　／（ｔｏｏｌ　Ｌ　）　Ｆｉｇ．５　Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　Ｔ　ｄｏｐｉｎｇ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｏｆ　Ｇｄ２一　ＴｂｘＢａ３　Ｂ３Ｏ１２（　＝０．Ｏ１～０．４０）　由图５可见，随着Ｔｂ”掺杂量的增加，发光强度迅速增　强，当ｘ＝０．１５时，发光最强；此后增加Ｔｈ３　掺杂量，发光　强度又逐渐降低，可能发生浓度猝灭现象。引起浓度猝灭的　原因有两个：一是由于激活剂离子Ｔｂ抖掺杂量过高时，离子　间距离变短，相互作用增强，产生能量转移；二是根据Ｔ　的能级图分析，激发态　Ｄ３与　Ｄ４能级间的能量差和基态　Ｆ　与　Ｆ０能级间的能量差相近，当Ｔｂ什掺杂量增加使它们　之间相互作用增大时，就可能发生　Ｄ。一　Ｄ４与　一　或　Ｄ。一　Ｆｃ与　一　Ｄ４的交叉弛豫过程导致荧光发射被猝　灭。　２．４荧光寿命分析　荧光粉的荧光衰减寿命是研究发光动力学的一个重要参　数，也是衡量荧光粉性能的重要指标之一。我们用英国Ｅｄ—　ｉｎｂｕｒｇｈ公司的ＦＬＳ９２０组合式荧光寿命与稳态荧光光谱仪　对所合成的发光材料进行了紫外激发下荧光衰减曲线，结果　如图６所示。　㈣　啪　㈣　彻　瑚　０　０　５　１０　１５　２０　Ｔｉｍｅ／ｍｓ　Ｆｉｇ．６　Ｄｅｃａｙ　ＣＵＩ＇ｖｅｓ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｓａｍｐｌｅ　Ｃ，ｄ１．８５　．１ｓＢａ３　Ｂ３　０ｌ２　由图６町见，样品的测试结果用一阶指数方程Ｊ　一　Ｊ。ｅｘｐ（一ｔ／ｒ）进行了荧光寿命拟合，其中ｒ是衰变寿命，　。为　最初发光强度。根据拟合，荧光寿命ｒ大约为２．９８　ｍｓ。对于　ＰＤＰ儿言，因为人眼对运动图象的视觉残留时间约５　Ｉｌｌｓ，这　要求用于显示的ＶｕＶ荧光粉的余辉时间在１～５　ｍｓ之间为　佳。但目前ＰＤｌＰ用ＶＵＶ绿色荧光粉常用Ｚｎ２ＳｉＯ　：Ｍｎ，其　余辉时间约ｌＯ～１５　ｍｓ，比合理的余辉时间大得多，这就造　成了ＰＤＰ显示运动图象时会产生拖尾现象，不利于显示。由　此可见，本实验制备的荧光粉的荧光衰减很快，小于５　ｍｓ，　可以更好地满足ＰＤＰ显示的应用要求。　３结论　本文采用高温固相法制备绿色荧光粉Ｇｄ　Ｂａ。Ｂ３Ｏ　。：　Ｔｂ”，其激发光谱主要由１６０￣２００　ｎｒｎ和２００￣２５０　ｎｍ的宽　峰以及２６０￣２８０　ｎｍ和３００～３２０　ｎｌＴｌ的锐利峰组成，存在　Ｇｄ”一Ｔｂ抖之间的能量传递。样品Ｇｄ　Ｂａ。Ｂ＝｛Ｏ　：Ｔｂ”的发　射光谱由Ｔｂ抖的　Ｄ４一　ＦＪ（Ｊ一３，４，５，６）以及Ｇｄ”的　Ｐ『　一。Ｓ　／。组成，其中，以。Ｄ　一　跃迁为主，属于绿色荧光　粉。在１７２　ｎｍ激发下，通过研究Ｔｂ”掺杂量对　Ｇｄ　Ｂａ。Ｂ｛Ｏ　。：Ｔｂ计发光强度的影响表明，当Ｇｄ和Ｔｂ原子　数比为１．８５：ｏ．１５时，样品的发光强度最佳，存在浓度猝灭　现象。样品Ｇｄ　ｓ　Ｔｂ　ｓ　Ｂａ。Ｂ３Ｏ　ｚ的色坐标为（０．３１３　６，　６２０　光谱学与光谱分析　第３ｌ卷　０．４８４　３），衰减时间为Ｚ．９８　ｍｓ，表明样品ＧｄｚＢａ。ＢｓＯ１２：　有广阔的应用价值。　Ｔｂ３　可以作为绿色荧光粉应用于ＰＤＰ和无汞荧光灯中，具　Ｌ１ｊ　Ｈｅ　Ｌｉｎｇ，Ｗａｎｇ　Ｙｕｈｕａ．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｌｌｏｙｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ　２００７，４３１：２２６．　Ｅ２］Ｋｉｍ　Ｃｈａｎｇ－Ｈｏｎｇ，Ｋｗｏｎ　Ｉ１一Ｅｏｋ，Ｐａｒｋ　Ｃｈｅｏｌ—Ｈｅｅ，ｅｔ　ａ１．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｌｌｏｙｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，２０００，３１１：３３．　［３］Ｓｈａｎｎｏｎ　Ｒ　ｎ　Ａｃｔａ　Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒ．，１９７６，Ａ３２：７５１．　［４］Ｌｉａｎｇ　Ｈｏｎｇｂｉｎ，Ｓｕ　ｑｉａｎｇ，Ｔａｏ　Ｙｅ，ｅｔ　ａ１．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，２００６，４１：１４６８．　Ｉｓ］Ｄｕａｎ　Ｃｈｅｎ￣ｕｎ，Ｌｉ　Ｗｅｉｆｅｎｇ，Ｗｕ　Ｘｕｅｙａｎ，ｅｔ　ａ１．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００５，１２１：２７２．　Ｌ６ｊ　Ｄｏｒｅｎｂｏｓ　Ｐ．Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，２０００，９１：Ｉ５５．　［７］Ｘｕ　Ｚｈｅｎｈｅ，Ｙａｎｇ　Ｊｕｎ，Ｈｏｕ　Ｚｈｉｙａｏ，ｅｔ　ａ１．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ，２００９，４４：８５０．　Ｅ８］Ｘｕ　Ｚｈｅｎｈｅ，Ｌｉ　Ｃｈｕｎｘｉａ，Ｈ　Ｇｕｏｇａｎｇ，ｅｔ　ａ１．Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃ，２０１０，ｌ１４：２５７３．　［９］ＨＯＵ　Ｔａｏ，ＨＥ　Ｄａ－ｗｅｉ，ＬＩ　Ｘｉｎ，ｅｔ　ａｌ（侯涛，何大伟，李鑫，等）．Ｒａｒｅ　Ｍｅｔａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ（稀有金属材料与工程），　２００７，３６（增刊２）：４２２．　Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｇｒｅｅｎ　Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　Ｇｄ２　Ｂａ３　Ｂ３　０ｌ２　Ｄｏｐｅｄ　ｗｉｔｈ　Ｔｂ３＋　ＺＨＡ０　Ｗｅｎ－ｙｕ　～，ＦＡＮ　Ｂｉｎ　，ＬＩ　Ｓｏｎｇ－ｂｏ　，ＺＨＡＮＧ　Ｇｕｏ－ｂｉｎ。，ＤＡＩ　Ｙａ－ｔａｎｇ　１．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｉｎｎｅｒ　Ｍｏｎｇｏｌｉａ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｂａｏｔｏｕ　０１４０１０，　Ｃｈｉｎａ　２．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ　ａｎｄ　Ｅｃｏｌｏｇｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　ｃＳｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｂｅｉｊｉｎｇ，Ｂｅｉｊｉｎｇ　１０００８３，Ｃｈｉｎａ　３．Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ。Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｏｆ　Ｃｈｉｎａ，Ｈｅｒｅｉ　２３００２９，Ｃｈｉｎａ　４．Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｏｕｔｈｗｅｓｔ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｍｉａｎｙａｎｇ　６２１０００。Ｃｈｉｎａ　Ａｂｓｔｒａｃｔ　Ｔｈｅ　ｇｒｅｅｎ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｐｈｏｓｐｈｏｒ．Ｇｄｚ　Ｂａ：￣Ｂｓ　Ｏｌｚ：Ｔｂ。　ｗａｓ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｍｅｔｈｏｄ　ｏｆ　ｈｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｓｏｌｉｄ－ｓｔａｔｅ　ｒｅａｃｔ！ｏｎ．　Ｔｈｅ　ｐｈａｓｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓａｍｐｌｅｓ　ｗｅｒｅ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄ　ｂｙ　Ｔｈｅ　Ｘ－ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ　（ＸＲＤ），ｖａｃｕｕｍ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　ｓｐｅｃｔｒｕｍ　ａｎｄ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　ｓｐｅｃｔｒｕｍ（Ⅵ　ＵＶ）．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｉｎｄｉｃａｔｅ　ｔｈａｔ　Ｔｂ３　ｉｏｎ　ａｃｔｉｎｇ　ａｓ　ｔｈｅ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｃｅｎｔｅｒ　ｉｎｈａｂｉｔｅｄ　ｔｈｅ　ｓｉｔｅ　ｏｆ　Ｇｄ抖ｉｏｎ　ｊｎ　ｔｈｅ　ｈｏｓｔ　ｏｆ　Ｇｄ２　Ｉ　Ｂ３　０１２．Ｔｌｈｅ　ＶＵＶ＿ＵＶ　ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒｕｍ　ｃｏｎｓｉｓｔｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｔｗｏ　ｓｔｒｏｎｇ　ｂｒｏａｄ　ｂａｎｄｓ　ａｔ　ａｂｏｕｔ　１６Ｏ～２００　ａｎｄ　２００～２５０　ｎｌｎ　ａｎｄ　ｓｈａｒｐ　ｌｉｎｅｓ　ａｔ　ａｂｏｕｔ　２６０～２８０　ａｎｄ　３００～３２０　ｎｒｔＬ　Ｔｈｅ　ｔｗｏ　ｓｔｒｏｎｇ　ｂｒｏａｄ　ｂａｎｄｓ　ｗｅｒｅ　ａｓｓｉｇｎｅｄ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｈｏｓｔ　ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｌ—ｄ　ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｔｂ　．Ｔｈｅ　ｓｈａｒｐ　ｌｉｎｅｓ　ｗｅｒｅ　ａｓｃｒｉｂｅｄ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｔ—ｌ　ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｔｂ什ａｎｄ　Ｇｄ什．Ａｌｌ　ｔｈｅ　ｓａｍｐｌｅｓ　ｏｆ　Ｇｄ２Ｂａ３　Ｏ１　２：Ｔｂ。　ｅｘｈｉｂｉｔ　ｓｔｒｏｎｇ　ｇｒｅｅｎ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ　ｔｏ　Ｄ４　Ｆ５　ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ（５４３　ｎｍ）ｏｆ　Ｔｂ３　ｕｎｄｅｒ　ＶＵｖ＿Ｕｖ　１ｉｇｈｔ　ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ．Ｕｎｄｅｒ　１７２　ｎｍ　ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ，１５　ｍｏｌ　Ｔｂ３　ｄｏｐｅｄ　ＧｄｚＢａ３　０ｌ２　ｓａｍｐｌｅ　ｅｘｈｉｂｉｔｓ　ｓｔｒｏｎｇ　ｇｒｅｅｎ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｗｉｔｈ　ｇｏｏｄ　ｃｏｌｏｒ　ｐｕｒｉｔｙ（　—Ｏ．３１３　６，　—Ｏ．４８４　３）ａｎｄ　ａ　ｆｉｔｔｅｄ　ａ　ｄｅｃａｙ　ｔｉｍｅ　ｚ－ａｒｏｕｎｄ　２．９８　ｍｓ．Ｉｔ　ｃａｎ　ｂｅ　ｃｏｎｃｌｕｄｅｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｉｓ　ｓｅｒｉｅｓ　ｏｆ　ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ　Ｇｄ２　Ｂａ３　０１２：Ｔｂ抖ｉｓ　ａ　ｐｒｏｍｉｓｉｇｎ　ｇｒｅｅｎ　ｖａｃｕｕｍ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ（Ⅵ『、，）ｐｈｏｓ—　ｐｈｏｒ　ｆｏｒ　ｐｌａｓｍａ　ｄｉｓｐｌａｙ　ｐａｎｅｌｓ（ＰＤＰｓ）ａｎｄ　Ｈｇ－ｆｒｅｅ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ　ｔｕｂｅｓ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ．　Ｋｅｙｗｏｒｄｓ　Ｇｒｅｅｎ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｐｈｏｓｐｈｏｒ；ＶＵ、　ＵＶ；Ｇｄ２Ｂａ３　Ｂ｛Ｏ１２：Ｔｂｓ　；ＰＤＰ　（Ｒｅｃｅｉｖｅｄ　Ａｐｒ．２６，２０１０；ａｃｃｅｐｔｅｄ　Ｊｕ１．２１，２０１０）　＊Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｇｎ　ａｕｔｈｏｒ