您的当前位置:首页正文

内置特高频传感器的GIS局部放电监测装置

2020-10-26 来源:星星旅游
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)实用新型专利

(21)申请号 CN201320205134.8 (22)申请日 2013.04.23

(71)申请人 四川菲博斯科技有限责任公司

地址 610000 四川省成都市武侯区科华北路58号c幢5楼

(10)申请公布号 CN203164364U

(43)申请公布日 2013.08.28

(72)发明人 孙晓凡;马勇;罗涛

(74)专利代理机构 成都行之专利代理事务所(普通合伙)

代理人 谢敏

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

内置特高频传感器的GIS局部放电监测装置

(57)摘要

本实用新型公开了一种内置特高频传感器

的GIS局部放电监测装置,包括位于GIS金属壳体上的传感器安装板(3)、用于采集GIS室内部局部放电信号的天线(1)、通过信号传输线与天线(1)相连的电路板(6)、用于密封信号传输线的密封板(2),所述天线(1)位于GIS金属壳体内部,电路板(6)位于GIS金属壳体外部,传感器安装板(3)上设置有供信号传输线通过的通孔;所述密封板(2)密封连接在传感器安装板

(3)上,且位于GIS金属壳体内部一侧。本实用新型解决了外置式特高频传感器易受外界电磁波干扰、在恶劣环境中及极低温环境下使用性能低的问题,具有抗干扰能力强、制造工艺简单、维护成本低等优点。

法律状态

法律状态公告日

2013-08-28

法律状态信息

授权

法律状态

授权

权利要求说明书

内置特高频传感器的GIS局部放电监测装置的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

内置特高频传感器的GIS局部放电监测装置的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容