碳化硅MOSFET有哪些优势?
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发布时间：2024-10-24 14:19
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时间：2024-10-31 15:14
碳化硅MOSFET的优势，通过比较与IGBT的性能，展示出了显著的优越性。它们在开关损耗、导通损耗和体二极管续流特性方面表现出色，尤其是在温度变化下的表现，使得碳化硅MOSFET在高压电力电子领域有着广阔的应用前景。
开关损耗方面，碳化硅MOSFET在相同平台的测试中，与IGBT相比，开关损耗更低，几乎不随结温变化。在开关频率提高和高温条件下，这种优势更加明显，关断损耗远低于IGBT，使得碳化硅MOSFET在提高开关速度和减少系统损耗方面具有显著优势。
导通损耗上，碳化硅MOSFET在40A电流下的导通压降相比IGBT要低约50%，且正向压降在不同结温下变化较小，这使得在实际应用中，碳化硅MOSFET具有更低的导通损耗，提高了系统的能效。
在体二极管续流特性方面，碳化硅MOSFET的本征二极管与SiC肖特基二极管有着类似的快恢复特性，这使得其在开关周期内具有更快的恢复速度，从而降低了反向恢复损耗。在不同结温下，碳化硅MOSFET的性能优势更为明显，进一步提高了系统的能效和可靠性。
此外，碳化硅MOSFET的结构设计，如Trench沟槽栅结构，显著提高了表面电子迁移率，使得器件的驱动更加容易，寿命更长。非对称沟槽结构的引入，进一步增强了其耐压能力和反向续流性能，使其在不同应用场合下表现优异。
英飞凌的CoolSiC™ MOSFET还具有独特的驱动电压、优化的米勒电容与栅源电容比值、大面积深P阱作为快恢复二极管的特点，以及提供丰富的封装形式和模块产品，覆盖了从单管到模块的广泛应用需求，简化了系统设计，降低了成本，提高了系统效率。
综上所述，碳化硅MOSFET凭借其在损耗降低、开关速度提高、温度适应性增强、可靠性提升等方面的显著优势，成为高压电力电子领域的理想选择。英飞凌作为碳化硅技术的领导者，持续推动技术创新，为用户提供了可靠、高效的产品解决方案，引领着碳化硅应用市场的未来。
